場效應管是根據三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，功率MOSFET場效應管具有負的電流溫度系 數，可以避免它工作的熱不穩(wěn)定性和二次擊穿，適合于大功率和大電流工作條件下的應用。功率MOSFET場效應管從驅動模式上看，屬于電壓型驅動控制元件， 驅動電路的設計比較簡單，所需驅動功率很小。采用功率MOSFET場效應作為開關電源中的功率開關，在啟動或穩(wěn)態(tài)工作條件下，功率MOSFET場效應管的峰值電流要比采用雙極型功率晶體管小得多。功率場效應管與雙極型功率晶體管之間的特性比較如下：
1. 驅動方式：場效應管是電壓驅動，電路設計比較簡單，驅動功率小；功率晶體管是電流驅動，設計較復雜，驅動條件選擇困難，驅動條件會影響開關速度。
2. 開關速度：場效應管無少數載流子存儲效應，溫度影響小，開關工作頻率可達150KHz以上；功率晶體管有少數載流子存儲時間限制其開關速度，工作頻率一般不超過50KHz。
3. 安全工作區(qū)：功率場效應管無二次擊穿，安全工作區(qū)寬；功率晶體管存在二次擊穿現象，限制了安全工作區(qū)。
4. 導體電壓：功率場效應管屬于高電壓型，導通電壓較高，有正溫度系數；功率晶體管無論耐電壓的高低，導體電壓均較低，具有負溫度系數。
5. 峰值電流：功率場效應管在開關電源中用做開關時，在啟動和穩(wěn)態(tài)工作時，峰值電流較低；而功率晶體管在啟動和穩(wěn)態(tài)工作時，峰值電流較高。
6. 產品成本：功率場效應管的成本略高；功率晶體管的成本稍低。
7. 熱擊穿效應：功率場效應管無熱擊穿效應；功率晶體管有熱擊穿效應。
8. 開關損耗：場效應管的開關損耗很小；功率晶體管的開關損耗比較大。
另外，功率MOSFET場效應管大多集成有阻尼二極管，而雙極型功率晶體管大多沒有集成阻尼二極管。場效應管內的阻尼二極管可以為開關電源感性線圈提供無功電流通路。所以，當場效應管的源極電位高于漏極時，這個阻尼二極管導通，但在開關電源中不能使用這個阻尼二極管，需要另外并聯(lián)超快速二極管。場效應管內的阻尼二極管在關斷過程中與一般二極管一樣存在反向恢復電流。此時二極管一方面承受著漏-源極之間急劇上升的電壓，另一方面又有反向恢復電流流過。
雙極型功率晶體管在應用中對電路性能具有決定性的影響，功率場效應管的主要缺點就是導通電阻較大，而且具有正溫度系數，故當功率場效應管工作于大電流開關 工作狀態(tài)時，導通損耗較大。功率場效應管的柵-源極之間的開啟門限電壓較高，一般為2~4V,用做開關電源中的功率開關時，為保證有足夠幅度的激勵電壓， 要求驅動變壓器的繞組匝數比采用雙極型晶體管變壓器的繞組匝數要多一倍乃至數倍。
功率場效應管與雙極型功率晶體管相比具有以下特點：
1. 功率MOSFET場效應管是電壓型控制器件，而雙極型晶體管是電流型控制器件，因此功率MOSFET場效應管在驅動輸出大電流時驅動電路較簡單。
2. 功率MOSFET場效應管的輸入阻抗高，可以達到100000000歐姆以上。
3. 功率MOSFET場效應管的工作頻率范圍寬，開關速度快，開關損耗小。
4. 功率MOSFET場效應管可以多個并聯(lián)使用，以增加輸出電流而無須加均流電阻。
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