二極管是最常用的電子元件之一，它最大的特性就是單向導電，也就是電流只可以從二極管的一個方向流過。二極管的作用有整流電路、檢波電路、穩(wěn)壓電路以及各種調制電路，主要都是由二極管來構成的。
其原理都很簡單，正是由于二極管等元件的發(fā)明，才有我們現(xiàn)在豐富多彩的電子信息世界的誕生，既然二極管的作用這么大那么我們應該如何去檢測這個元件呢，其實很簡單只要用萬用表打到電阻檔測量一下反向電阻如果很小就說明這個二極管是壞的，反向電阻如果很大這就說明這個二極管是好的。對于這樣的基礎元件我們應牢牢掌握住他的作用原理以及基本電路，這樣才能為以后的電子技術學習打下良好的基礎。
二極管結構
二極管是由管芯、管殼和兩個電極構成。管芯就是一個PN結，在PN結的兩端各引出一個引線，并用塑料、玻璃或金屬材料作為封裝外殼，就構成了晶體二極管，如下圖所示。P區(qū)的引出的電極稱為正極或陽極，N區(qū)的引出的電極稱為負極或陰極。
二極管的伏安特性
半導體二極管的核心是PN結，它的特性就是PN結的特性 —— 單向導電性。常利用伏安特性曲線來形象地描述二極管的單向導電性。二極管的伏安特性是指加在二極管兩端電壓和流過二極管的電流之間的關系，用于定性描述這兩者關系的曲線稱為伏安特性曲線。通過晶體管圖示儀觀察到硅二極管的伏安特性如下圖所示。
下面對二極管伏安特性曲線加以說明：
正向特性
外加正向電壓較小時，二極管呈現(xiàn)的電阻較大，正向電流幾乎為零，曲線OA段稱為不導通區(qū)或死區(qū)。一般硅管的死區(qū)電壓約為0.5伏，鍺的死區(qū)電壓約為0.2伏，該電壓值又稱門坎電壓或閾值電壓。
當外加正向電壓超過死區(qū)電壓時，PN結內電場幾乎被抵消，二極管呈現(xiàn)的電阻很小，正向電流開始增加，進入正向導通區(qū)，但此時電壓與電流不成比例如AB段。隨外加電壓的增加正向電流迅速增加，如BC段特性曲線陡直，伏安關系近似線性，處于充分導通狀態(tài)。
二極管導通后兩端的正向電壓稱為正向壓降(或管壓降)，且?guī)缀鹾愣ā９韫艿墓軌航导s為0.7V，鍺管的管壓降約為0.3V。二極管正向導通時，要特別注意它的正向電流不能超過最大值，否則將燒壞PN結。
反向特性
二極管承受反向電壓時，加強了PN結的內電場，二極管呈現(xiàn)很大電阻，此時僅有很小的反向電流。如曲線OD段稱為反向截止區(qū)，此時電流稱為反向飽和電流。實際應用中，反向電流越小說明二極管的反向電阻越大，反向截止性能越好。一般硅二極管的反向飽和電流在幾十微安以下，鍺二極管則達幾百微安，大功率二極管稍大些。
當反向電壓增大到一定數(shù)值時(圖中D點)，反向電流急劇加大，進入反向擊穿區(qū)，D點對應的電壓稱為反向擊穿電壓。二極管被擊穿后電流過大將使管子損壞，因此除穩(wěn)壓管外，二極管的反向電壓不能超過擊穿電壓。
溫度對特性的影響
由于二極管的核心是一個PN結，它的導電性能與溫度有關。溫度升高時二極管正向特性曲線向左移動，正向壓降減小；反向特性曲線向下移動，反向電流增大。
二極管的分類
按半導體材料分類
二極管按其使用的材料可分為鍺（Ge）二極管、硅（Si）二極管、砷化鎵（GaAs）二極管、磷化鎵（GaP）二極管等。
按封裝形式分類
二極管按其封裝形式可分為塑料二極管、玻璃二極管、金屬二極管、片狀二極管、無引線圓柱形二極管。
按結構分類
半導體二極管主要是依靠PN結而工作的。與PN結不可分割的點接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內。包括這兩種型號在內，根據(jù)PN結構造面的特點，把晶體二極管分類如下：
1.點接觸型二極管
點接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其PN結的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結型相比較，點接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。因為構造簡單，所以價格便宜。對于小信號的檢波、整流、調制、混頻和限幅等一般用途而言，它是應用范圍較廣的類型。
2.鍵型二極管
鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細絲而形成的，其特性介于點接觸型二極管和合金型二極管之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型二極管的PN結電容量稍有增加，但正向特性特別優(yōu)良。多作開關用，有時也被應用于檢波和電源整流（不大于50mA）。在鍵型二極管中，熔接金絲的二極管有時被稱金鍵型，熔接銀絲的二極管有時被稱為銀鍵型。
3.合金型二極管
在N型鍺或硅的單晶片上，通過合金銦、鋁等金屬的方法制作PN結而形成的。正向電壓降小，適于大電流整流。因其PN結反向時靜電容量大，所以不適于高頻檢波和高頻整流。
4.擴散型二極管
在高溫的P型雜質氣體中，加熱N型鍺或硅的單晶片，使單晶片表面的一部變成P型，以此法PN結。因PN結正向電壓降小，適用于大電流整流。最近，使用大電流整流器的主流已由硅合金型轉移到硅擴散型。
5.臺面型二極管
PN結的制作方法雖然與擴散型相同，但是，只保留PN結及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現(xiàn)出臺面形，因而得名。初期生產的臺面型，是對半導體材料使用擴散法而制成的。因此，又把這種臺面型稱為擴散臺面型。對于這一類型來說，似乎大電流整流用的產品型號很少，而小電流開關用的產品型號卻很多。
6.平面型二極管
在半導體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴散P型雜質，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此，不需要為調整PN結面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩(wěn)定性好和壽命長的類型。最初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。
7.合金擴散型二極管
它是合金型的一種。合金材料是容易被擴散的材料。把難以制作的材料通過巧妙地摻配雜質，就能與合金一起過擴散，以便在已經形成的PN結中獲得雜質的恰當?shù)臐舛确植肌４朔ㄟm用于制造高靈敏度的變容二極管。
8.外延型二極管
用外延面長的過程制造PN結而形成的二極管。制造時需要非常高超的技術。因能隨意地控制雜質的不同濃度的分布，故適宜于制造高靈敏度的變容二極管。
9.肖特基二極管
基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導體（N型硅片）的接觸面上，用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特長是：開關速度非常快：反向恢復時間trr特別地短。因此，能制作開關二極和低壓大電流整流二極管。
按用途分類
1.檢波用二極管
檢波主要是將高頻信號中的低頻信號檢出，這一作用經常用于收音機中。就原理而言，從輸入信號中取出調制信號是檢波，以整流電流的大小（100mA）作為界線通常把輸出電流小于100mA的叫檢波。鍺材料點接觸型、工作頻率可達400MHz，正向壓降小，結電容小，檢波效率高，頻率特性好，為2AP型。類似點觸型那樣檢波用的二極管，除用于檢波外，還能夠用于限幅、削波、調制、混頻、開關等電路。也有為調頻檢波專用的特性一致性好的兩只二極管組合件。
2.整流用二極管
由于二極管具有單向導電性，因此可將方向交替變換的交流電轉換為單一方向的脈沖直流電，完成整流的功能。就原理而言，從輸入交流中得到輸出的直流是整流。以整流電流的大小（100mA）作為界線通常把輸出電流大于100mA的叫整流。面結型，工作頻率小于KHz，最高反向電壓從25伏至3000伏分A～X共22檔。分類有：硅半導體整流二極管2CZ型、硅橋式整流器QL型、用于電視機高壓硅堆工作頻率近100KHz的2CLG型。
3.限幅用二極管
由于在二極管兩端加正向電壓使其導通后，其正向壓降基本保持不變，因此其在電路中可以作為限幅元件，將信號的幅度限制在一定的范圍內。大多數(shù)二極管能作為限幅使用。也有象保護儀表用和高頻齊納管那樣的專用限幅二極管。為了使這些二極管具有特別強的限制尖銳振幅的作用，通常使用硅材料制造的二極管。也有這樣的組件出售：依據(jù)限制電壓需要，把若干個必要的整流二極管串聯(lián)起來形成一個整體。
4.調制用二極管
通常指的是環(huán)形調制專用的二極管。就是正向特性一致性好的四個二極管的組合件。即使其它變容二極管也有調制用途，但它們通常是直接作為調頻用。
5.混頻用二極管
使用二極管混頻方式時，在500～10，000Hz的頻率范圍內，多采用肖特基型和點接觸型二極管。
6.放大用二極管
用二極管放大，大致有依靠隧道二極管和體效應二極管那樣的負阻性器件的放大，以及用變容二極管的參量放大。因此，放大用二極管通常是指隧道二極管、體效應二極管和變容二極管。
7.開關用二極管
由于二極管具有單向導電性，在正向電壓作用下電阻很小，相當于通路，類似于開關打開狀態(tài)；而在反向電壓作用下電阻很大，相當于斷路，類似于開關閉合狀態(tài)。二極管具有的這種開關特性，使得其可以組成各種邏輯電路。
有在小電流下（10mA程度）使用的邏輯運算和在數(shù)百毫安下使用的磁芯激勵用開關二極管。小電流的開關二極管通常有點接觸型和鍵型等二極管，也有在高溫下還可能工作的硅擴散型、臺面型和平面型二極管。開關二極管的特長是開關速度快。而肖特基型二極管的開關時間特短，因而是理想的開關二極管。2AK型點接觸為中速開關電路用；2CK型平面接觸為高速開關電路用；用于開關、限幅、鉗位或檢波等電路；肖特基（SBD）硅大電流開關，正向壓降小，速度快、效率高。
8.變容二極管
可以通過對其施加反向電壓來改變其PN結的靜電容量，從而達到變容的功能，經常于電視機高頻頭的頻道轉換和調諧電路。用于自動頻率控制（AFC）和調諧用的小功率二極管稱變容二極管。
日本廠商方面也有其它許多叫法。通過施加反向電壓， 使其PN結的靜電容量發(fā)生變化。因此，被使用于自動頻率控制、掃描振蕩、調頻和調諧等用途。通常，雖然是采用硅的擴散型二極管，但是也可采用合金擴散型、外延結合型、雙重擴散型等特殊制作的二極管，因為這些二極管對于電壓而言，其靜電容量的變化率特別大。結電容隨反向電壓VR變化，取代可變電容，用作調諧回路、振蕩電路、鎖相環(huán)路，常用于電視機高頻頭的頻道轉換和調諧電路，多以硅材料制作。
9.頻率倍增用二極管
對二極管的頻率倍增作用而言，有依靠變容二極管的頻率倍增和依靠階躍（即急變）二極管的頻率倍增。頻率倍增用的變容二極管稱為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動頻率控制用的變容二極管的工作原理相同，但電抗器的構造卻能承受大功率。階躍二極管又被稱為階躍恢復二極管，從導通切換到關閉時的反向恢復時間trr短，因此，其特長是急速地變成關閉的轉移時間顯著地短。如果對階躍二極管施加正弦波，那么，因tt（轉移時間）短，所以輸出波形急驟地被夾斷，故能產生很多高頻諧波。
10.穩(wěn)壓二極管
穩(wěn)壓二極管是一種工作于反向擊穿狀態(tài)的面結型硅二極管，在穩(wěn)壓電路中串入限流電阻，限制穩(wěn)壓二極管擊穿后電流值，使得其擊穿狀態(tài)可以一直保持下去。
是代替穩(wěn)壓電子二極管的產品。被制作成為硅的擴散型或合金型。是反向擊穿特性曲線急驟變化的二極管。作為控制電壓和標準電壓使用而制作的。二極管工作時的端電壓（又稱齊納電壓）從3V左右到150V，按每隔10%，能劃分成許多等級。在功率方面，也有從200mW至100W以上的產品。工作在反向擊穿狀態(tài)，硅材料制作，動態(tài)電阻RZ很小，一般為2CW型；將兩個互補二極管反向串接以減少溫度系數(shù)則為2DW型。
11.PIN型二極管
這是在P區(qū)和N區(qū)之間夾一層本征半導體（或低濃度雜質的半導體）構造的晶體二極管。PIN中的I是“本征”意義的英文略語。當其工作頻率超過100MHz時，由于少數(shù)載流子的存貯效應和“本征”層中的渡越時間效應，其二極管失去整流作用而變成阻抗元件，并且，其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時，“本征”區(qū)的阻抗很高；在直流正向偏置時，由于載流子注入“本征”區(qū)，而使“本征”區(qū)呈現(xiàn)出低阻抗狀態(tài)。因此，可以把PIN二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應用于高頻開關（即微波開關）、移相、調制、限幅等電路中。
12.雪崩二極管
它是在外加電壓作用下可以產生高頻振蕩的晶體管。產生高頻振蕩的工作原理是欒的：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時間，所以其電流滯后于電壓，出現(xiàn)延遲時間，若適當?shù)乜刂贫稍綍r間，那么，在電流和電壓關系上就會出現(xiàn)負阻效應，從而產生高頻振蕩。它常被應用于微波領域的振蕩電路中。
13.江崎二極管
它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管，其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區(qū)的N型區(qū)是高摻雜的（即高濃度雜質的）。隧道電流由這些簡并態(tài)半導體的量子力學效應所產生，發(fā)生隧道效應具備如下三個條件：費米能級位于導帶和滿帶內、空間電荷層寬度必須很窄（0.01微米以下）、簡并半導體P型區(qū)和N型區(qū)中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。
江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數(shù)有峰谷電流比（IP／PV），其中，下標“P”代表“峰”，下標“V”代表“谷”。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用于高速開關電路中。
14.快速關斷（階躍恢復）二極管
它也是一種具有PN結的二極管。其結構上的特點是：在PN結邊界處具有陡峭的雜質分布區(qū)，從而形成“自助電場”。由于PN結在正向偏壓下，以少數(shù)載流子導電，并在PN結附近具有電荷存貯效應，使其反向電流需要經歷一個“存貯時間”后才能降至最小值（反向飽和電流值）。階躍恢復二極管的“自助電場”縮短了存貯時間，使反向電流快速截止，并產生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量可設計出梳狀頻譜發(fā)生電路。快速關斷（階躍恢復）二極管用于脈沖和高次諧波電路中。
15.肖特基二極管
它是具有肖特基特性的“金屬半導體結”的二極管，其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導體。這種器件是由多數(shù)載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數(shù)限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。
16.阻尼二極管
具有較高的反向工作電壓和峰值電流，正向壓降小，高頻高壓整流二極管，用在電視機行掃描電路作阻尼和升壓整流用。
17.瞬變電壓抑制二極管
TVP管，對電路進行快速過壓保護，分雙極型和單極型兩種，按峰值功率（500W－5000W）和電壓（8.2V～200V）分類。
18.雙基極二極管
兩個基極，一個發(fā)射極的三端負阻器件，用于張馳振蕩電路，定時電壓讀出電路中，它具有頻率易調、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點。
19.發(fā)光二極管
用磷化鎵、磷砷化鎵材料制成，體積小，正向驅動發(fā)光。工作電壓低，工作電流小，發(fā)光均勻、壽命長、可發(fā)紅、黃、綠單色光。經常應用于VCD、DVD、計算器等顯示器上，例如電腦硬盤的指示燈、充電器的指示燈等都是發(fā)光二極管在生活中的應用。
20.硅功率開關二極管
硅功率開關二極管具有高速導通與截止的能力。它主要用于大功率開關或穩(wěn)壓電路、直流變換器、高速電機調速及在驅動電路中作高頻整流及續(xù)流箝拉，具有恢復特性軟、過載能力強的優(yōu)點、廣泛用于計算機、雷達電源、步進電機調速等方面。
21.旋轉二極管
主要用于無刷電機勵磁、也可作普通整流用。
按特性分類
點接觸型二極管，按正向和反向特性分類如下：
1.一般用點接觸型二極管
這種二極管正如標題所說的那樣，通常被使用于檢波和整流電路中，是正向和反向特性既不特別好，也不特別壞的中間產品。如：SD34、SD46、1N34A等等屬于這一類。
2.高反向耐壓點接觸型二極管
是最大峰值反向電壓和最大直流反向電壓很高的產品。使用于高壓電路的檢波和整流。這種型號的二極管一般正向特性不太好或一般。在點接觸型鍺二極管中，有SD38、1N38A、OA81等等。這種鍺材料二極管，其耐壓受到限制。要求更高時有硅合金和擴散型。
3.高反向電阻點接觸型二極管
正向電壓特性和一般用二極管相同。雖然其反方向耐壓也是特別地高，但反向電流小，因此其特長是反向電阻高。使用于高輸入電阻的電路和高阻負荷電阻的電路中，就鍺材料高反向電阻型二極管而言，SD54、1N54A等等屬于這類二極管。
4.高傳導點接觸型二極管
它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管很差，但使正向電阻變得足夠小。對高傳導點接觸型二極管而言，有SD56、1N56A等等。對高傳導鍵型二極管而言，能夠得到更優(yōu)良的特性。這類二極管，在負荷電阻特別低的情況下，整流效率較高。
按工作頻率分類
二極管按工作頻率可分為高頻二極管和低頻二極管。
按電流容量分類
二極管按其電流容量可分為大功率二極管（電流為5A以上）、中功率二極管（電流在1-5A）和小功率二極管（電流在1A以下）。
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